一、T碳化硅陶瓷管工作原理

TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管，是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。T碳化硅陶瓷管有单向与双向之分，单向T碳化硅陶瓷管一般应用于直流供电电路，双向T碳化硅陶瓷管应用于电压交变的电路。当应用于直流电路时，单向T碳化硅陶瓷管反向并联于电路中，当电路正常工作时，T碳化硅陶瓷管处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到T碳化硅陶瓷管击穿电压时，T碳化硅陶瓷管迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，T碳化硅陶瓷管阻值又恢复为高阻态。 

东成（DOWO）供应的T碳化硅陶瓷管产品从封装形式可分为10类：
• DO-218AB：SM5S系列、SM6S系列、SM8S系列、SM8SxxCA系列、SM8T系列；
• SMA/DO-214AC：SMAJ系列、P4SMA系列、TPSMAJ系列、SMA6J系列、TPSMA系列、SACA系列；
• SMB/DO-214AA：SMBJ系列、P6SMB系列、TPSMBJ系列、SMB10J系列、SACB系列、1.0SMB系列、TPSMB系列；
• SMC/DO-214AB：1.5SMC系列、SMCJ系列、TPSMCJ系列、SMDJ系列、TPSMDJ系列、5.0SMDJ系列、TP5.0SMDJ系列、TPSMC系列；
• SOD-123：SMF系列、TPSMF系列、SMF4L系列、SMF3.3A系列、SMF3V3A；
• DO-41：P4KE系列；
• DO-15：SA系列、P6KE系列、SAC系列；
• DO-201：1.5KE系列、LCE系列；
• R-6/P600：3KP系列、5KP系列、LDP系列、15KP系列、30KP系列；
• NA：KA系列；

二、TVS整流二极管功能特殊性

• 采用半导体工艺制成，具有很高的可靠性，无损坏极限；
• 玻璃钝化工艺，精准的导通电压；
• 瞬态功率大，低电容、低漏电流，箝位电压易控制；
• 快速响应时间：通常小于1.0PS；
• 优良的钳位能力，击穿电压偏差小；
• 电压精度高，在特殊应用场合，通过工艺或参数筛选可达到更高的精度；
• 体积小，易安装；
• 单向和双向单元；
• 在 10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W，甚至更高；
• 工作电压范围3.3V~600V，甚至更高；
• 封装形式多样化，贴片封装：SOD-123、SMA（DO-214AC）、SMB（DO-214AA）、SMC（DO-214AB）、DO-218AB等，直插封装：DO-41、DO-15、DO-201、R-6/P-600等；
• 无卤化，符合RoHS；

三、TVS场效应管调试白皮书

1）要确定被保护电路中的最大直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和“高端”容限；
2）TVS管的额定瞬态功率要大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率；
3）TVS管的截止电压要大于被保护电路的最高工作电压；
4）TVS管的最大钳位电压要小于后级被保护电路中的损坏电压；
5）确定好TVS管最大箝位电压后，其峰值脉冲电流要大于瞬态浪涌电流；
6）对于数据接口的电路保护，还需注意选取具有合适电容的T碳化硅陶瓷管。比如：当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的TVS管；

四、TVS肖特基二极管叁数图解

• V_RWM ：截止电压， T碳化硅陶瓷管的最高工作电压，可连续施加而不引起T碳化硅陶瓷管劣化或损坏状态下，达到的最大的直流电压或交流峰值电压。 在V_RWM下，T碳化硅陶瓷管是不工作的，不导通。
• V_C：钳位电压，施加规定波形的峰值脉冲电流I_PP时，T碳化硅陶瓷管两端测得的峰值电压。
• V_BR：击穿电压，是TVS管的最小雪崩电压。指在V-I特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端的电压。
• I_R：漏电流，亦称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下，流过T碳化硅陶瓷管的最大电流，其值是在截止电压下测量的。
• I_PP： 峰值脉冲电流，一般在10/1000μs电流波形下的峰值。
• I_T：测试电流。
• C：电容值，对于同功率等级的TVS管而言，电压越低电容值就越大。在通信线路的防护中，尤其要注意TVS管的电容值。
• 封装形式：从TVS管的封装形式，可以看出其功率大小。TVS管的芯片面积直接决定其功率等级。

五、T碳化硅陶瓷管选型注意事项

1）规格书手册给的只是特定脉宽下的吸收功率峰值，而实际电路中的脉冲宽度是变化不定，心里要有个数，对宽脉冲要降额应用；
2）对于小电流负载电路的保护，要有意识地增加限流电阻；
3）要注意T碳化硅陶瓷管的稳态平均功率是否在安全范围之中；
4）要考虑温度变化，正常而言，瞬态抑制二极管在-55°C到150°C之间工作，电路中温度比较高的情况下要降额应用；
5）TVS瞬态抑制二极管的引线长短，要与被保护线路相对。
6）针对数据接口或通信线路中的防护，要尽可能选取电容值比较小的T碳化硅陶瓷管。
7）直流保护电路大多选单向TVS管，交流保护电路大多选双向TVS管、多路保护电路选TVS阵列器件，大功率保护电路选专用保护模块。
8）在使用TVS管过程中，考虑到TVS的离散性，尽量减少串/并数量。

六、T碳化硅陶瓷管典型应用

TVS场效应管仍然存在超快的初始化失败车速，低钳位的电压电流，精准性的的电压电流等优势，以求应用层面于对保护的集成电路芯片需要ജ较好高的施工地点层面，小汽车电气技术、电器产品、工業控制、户外照明，通讯网络、医疗卫生等服务行业，如DC电原线，RS485接口标准，通讯网络电原，I/O口等。

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